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三星完成12层3D硅穿孔堆叠:单片HBM存储容量提至24GB

时间:2019-10-09 14:12 来源:未知  手机版

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【天极网DIY硬件频道】随着集成电路规模的扩大,如何在尽可能小的面积内塞入更多晶体管成为挑战,其中多芯片堆叠封装被认为是目前最好的解决方案,毕竟半导体微缩的开发进度已经赶不上使用需求。

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> 三星电子在10月7日正式公布,该公司率先开发出12层3D-TSV(硅穿孔)技术,DRAM芯片通过60000个TSV孔连接,每一层的厚度仅有头发丝的1/20。

> 三星表示这种12层的总封装厚度为720μm,与当前8层堆叠的HBM2存储芯片相同。意味着客户不需要改动内部设计,就可以获得更大容量的芯片。而且3D堆叠也有助于缩短数据传输的时间,提高带宽、传输性能。

三星透露,这种基于12层3D TSV技术的HBM存储芯片将很快量产,单片容量从8GB提升到24GB。

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本文标签:三星 堆叠 芯片 穿孔 封装

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